LeoMonteCrystal

        Skaitmeninis modeliavimas pagrįstas modifikuoto korinio automato modelio "Monte Carlo" įgyvendinimu. Modeliuotas kristalų paviršius yra dvimatis matrica, kurioje elementų reikšmė ir padėtis apibrėžia trijų molekulių padėtį ant kristalo paviršiaus.
Santykiniai tikimybės priimti ar išmesti molekulę apskaičiuojami remiantis termiškai aktyvintos reakcijos modelio pagrindu, priklausomai nuo to, ar kiekviena paviršiuje esanti molekulė yra arti, ir leidžia tiesioginį paviršiaus energijos įterpimą į kristalo augimo modelį.
Modelis taip pat leidžia apskaičiuoti koncentracijos skylių tipo defektus, susidariusius suklijuojant buteliuko kaklelį panašių struktūrų į grubus paviršius.
Vieno eksperimento parametrai gali būti įvesti į duomenų skydelį su lanksčiu pasirinkimu, kad būtų galima naudoti mėgstamus matavimo vienetus.

"LeoMonteCrystal" teikia vienetų keitiklio funkcijas, leidžiančias naudoti pradinius parametrus, apibrėžtus įvairiose vienetų sistemose, tinkančias įprastam naudotojui.
Duomenų įvedimo skydas akimirksniu rodo teorines greitųjų kristalų augimo vertes, apskaičiuotas konkurenciniams teoriniams modeliams, ir plius vertingiausias - su formulėmis, nustatytomis mūsų tyrimų rezultatais, atsižvelgiant į nustatytą pradinių parametrų rinkinį.
Atskiroje diagramoje rodoma augimo greičio priklausomybė nuo temperatūros, paviršiaus šiurkštumas ir defektų koncentracija, apskaičiuota pagal mūsų formulę.
Pakeitus bet kuriuos parametrus, visi patikimi kintamieji automatiškai atnaujinami, atitinkamai suteikiant termodinaminio ir kristalografinio skaitiklio funkcionalumą.
Dažnai naudojamas parametrų rinkinys, atitinkantis susidomėjimą sudarančią sudėtį, gali būti išsaugotas arba importuotas į komą atskirtą failą arba iš jo (suderinama su MS Excel).
"Rezultatų" skydelyje simuliacijos metu yra diagramų, rodančių laiko juostą: atstumą kristalų paviršiaus augimo progresą, jo šiurkštumą, momentinį augimo greitį ir skylės koncentraciją kaip defektus.
    

Kas naujo šiame leidime:

1.1 versija. Atskiroje diagramoje pateikiama augimo greičio, paviršiaus šiurkštumo ir defektų koncentracijos priklausomybė nuo temperatūros, apskaičiuotos pagal mūsų patentuotą meno formules.